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IGBT陶瓷基板在現代電子技術行業已經廣泛應用了，主要是因為IGBT模組優異的電器性能。其中氮化鋁陶瓷基板起著非常重要的作用。

無論在5G領域還是半導體，亦或是大功率模組等領域，氮化鋁陶瓷基板的應用越發受到市場的親睞。氮化鋁陶瓷基板相當於氧化鋁陶瓷基板有更好的導熱性和機械性能，因此在價格方面有要比氧化鋁陶瓷基板或者普通PCB板要貴一些。

二氧化矽在降低覆銅板熱膨脹係數、提高基板模量及耐熱性等方面有著不可替代的作用。二氧化矽的高填充可以降低成本、提高熱導率、降低熱膨脹係數、增加強度，但是隨著填充量的增多，體系粘度會急劇增加，材料的流動性、滲透性變差，二氧化矽在樹脂中的分散困難，易出現團聚的問題。如何進一步提高二氧化矽在材料中的填充量，是覆銅板行業研究的重要課題。

二氧化矽是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學研究的重要材料。

每一次科技的進步，都少不了晶片支撐。更準確的說，是晶片的多核設計以及半導體工藝的進步，讓晶片在1986年後性能不斷提升同時功耗不斷降低。但2015年之後，晶片性能的提升越來越難，關於摩爾定律放緩的討論也越來越多。而以數據為中心的時代正在到來，數據中心和AI對晶片的要求越來越高。

 針對 HPC 晶片封裝技術，台積電已在 2019 年 6 月日本 VLSI 技術及電路研討會（2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits），提出新型態 SoIC（System on Integrated Chips）3D 封裝技術論文；透過微縮凸塊（Bumping）密度，提升 CPU / GPU 處理器與記憶體間整體運算速度。整體而言，期望藉由 SoIC 封裝技術持續延伸，並當作台積電於 InFO（Integrated Fan-out）、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）後端先進封裝之全新解決方案。

隨著雷射技術的不斷發展以及雷射技術深入半導體行業，雷射已經在半導體領域多道工序取得成功應用。廣為熟知的雷射打標，使得精細的半導體晶片標識不 再是個難題。雷射切割半導體晶圓，一改傳統接觸式刀輪切割弊端，解決了諸如刀輪切割易崩邊、切割慢、易破壞表面結構等諸多問題。

據統計建設公司每年花費許多金額在修理或更換損壞的建築材料。例如玻璃帷幕、內外部玻璃、內部瓷磚、大理石地板...等，同時在施工過程中，建築材料的表面也容易受到損壞，此時安排重新更換替代的材料可能導致建設工程交付延遲等嚴重影響。

「風電」

氮化鋁是共價鍵化合物，屬於六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，呈白色或灰白色。