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與GaN-on-Si相比,GaN-on-SiC最大的劣勢就是成本,如果解決了這個問題,或使雙方的成本接近,則GaN-on-SiC的性能優勢就會凸顯出來。
   
歐洲在第三代半導體技術研究方面一直處於世界前列,時常會有突破性的技術出現。最近,瑞典的一家公司憑藉其GaN-on-SiC技術交付了6英寸晶圓。該公司首席技術官兼聯合創始人表示:“在目前的市場上,由於矽襯底價格便宜,且可以實現垂直集成,因此99%的GaN器件是GaN-on-Si。但是,GaN-on-Si的品質仍然存在很多缺陷,最大的問題是可靠性,這方面,GaN-on-SiC做得更好。我們使用了不同的生長方案來開發這項技術。GaN-on-Si必須生長5μm的厚度才能獲得良好的品質,但是其矽襯底有缺陷,而SiC層為2μm,現在,我們將其厚度降低到了200至250nm,這樣可以提高品質,減少缺陷。”

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憑藉高功率、高頻工作環境下的優良性能,氮化鎵(GaN)正在快速崛起,無論是在功率,還是射頻應用領域,GaN都代表著高功率和高性能應用場景的未來,將在很大程度上替代砷化鎵(GaAs)和LDMOS。
   
而在GaN外延片方面,主要有兩種襯底技術,分別是GaN-on-Si(矽基氮化鎵)和GaN-on-SiC(碳化矽基氮化鎵)。當然,除了以上這兩種主流技術外,還有GaN-on-sapphire,以及GaN-on-GaN技術。

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隨著生活水準的提高,人們對於健康的意識也越來越強。事實上,積體電路在生物醫藥領域也扮演著重要角色,且隨著新的生物技術的普及,積體電路在這些新生物醫療技術中的地位也會越來越高,生物晶片也將成為半導體中的一個重要細分市場。目前,在每年的頂級半導體會議ISSCC中,生物晶片相關的議程已經能到2-3個,已經接近或超過一些傳統的方向(例如射頻電路和類比放大器電路設計)的議程數量,可見半導體晶片行業對於生物晶片的重視程度。
   

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英特爾也是 MRAM 技術的主要推動者,該公司採用的是基於 FinFET 技術的 22 nm 制程。
2018 年底,英特爾首次公開介紹了其 MRAM 的研究成果,推出了一款基於 22nm FinFET 制程的 STT-MRAM,當時,該公司稱,這是首款基於 FinFET 的 MRAM 產品,並表示已經具備該技術產品的量產能力。

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2017 年,時任 Globalfoundries 首席技術官的 Gary Patton 稱,Globalfoundries 已經在其 22FDX (22nm 制程的 FD-SOI 工藝技術)制程中提供了 MRAM,同時也在研究另一種存儲技術。

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在過去幾年裡,包括台積電、英特爾、三星、格芯等晶圓代工廠和 IDM,相繼大力投入 MRAM 研發,而且主要著眼於 STT-MRAM,也有越來越多的嵌入式解決方案誕生,用以取代 Flash、EEPROM 和 SRAM。   
      

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近年來,在人工智慧(AI)、5G 等推動下,以 MRAM (磁阻式隨機存取記憶體)、鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)、相變隨機存取記憶體(PRAM),以及可變電阻式隨機存取記憶體(RRAM)為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入,最具代表性的廠商包括台積電、英特爾、三星和格芯(Globalfoundries)。
   

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早在 2002 年,台積電就與中國臺灣地區工研院簽訂了 MRAM 合作發展計畫。近些年,該公司一直在開發 22nm 制程的嵌入式 STT-MRAM,採用超低漏電 CMOS 技術。2018 年,台積電進行了 eMRAM 晶片的“風險生產”,2019 年生產採用 22nm 制程的 eReRAM 晶片。2019 年,台積電在嵌入式非易失性記憶體技術領域達成數項重要的里程碑:在 40nm 制程方面,該公司已成功量產 Split-Gate (NOR)技術,支援消費類電子產品應用,如物聯網、智慧卡和 MCU,以及各種車用電子產品。在 28nm 制程方面,該公司的嵌入式快閃記憶體支持高能效移動計算和低漏電制程平臺。

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晶化科技股份有限公司(設立於新竹科學工業園區)
本案投資金額為新台幣0.8億元,擬研究、設計、開發、製造及銷售下列產品:高階封裝用材料1.晶片背面保護膠帶(Backside Cover Film, BCF) 2.片狀封裝材料 (Sheet Molding Compound, SMC) 3.    底部模封材料 (Molded Underfill, MUF) 4.導熱超薄膜 (Thermal Conductive Extra Thin Film, TCF)。

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IC 構裝用導電接著材料除具接著性外亦具有導電性,主要成分有二: 1.黏著劑(Binders) 2.導電粒子(conductive Particles),常用之導電粒子 為 Ag 、 Au 、 Cu 、 Al 、 steel 及 Carbon black ;常用之黏著劑有epoxy、PU、silicones、vinyl 及 acrylic 幾類,以下分別針對組成種類及特性加以介紹:

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晶化科技可客製化開發2.5D/3D封裝用膜材,目前和多家半導體大廠公同開發多項下一世代的產品。 
      
晶化科技優勢:
1. 專業的配方調配技術
2. 擁有專業精密塗佈機台
3. 快速配合開發  
4. 在地化服務
     
目前此類封裝膜材皆被日本廠商壟斷,經多家半導體廠商反映: 日本廠商跟不上台灣半導體廠商要創新的速度,因此找上了晶化科技。
        
晶化科技致力於研發先進封裝膜材,期許台灣半導體封裝材料能自主化,有利完備國內半導體產業聚落,搶占全球供應鏈的核心地位,並吸引外商來台投資,擴大與國內業者合作,強化台灣半導體產業的競爭力。  
           

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可謂係國內唯一半導體晶圓級封裝封裝關鍵材料自主的公司-晶化科技股份有限公司(以下簡稱已晶化科技),該公司成立於2015年並於2016年獲准進駐新竹科學園區竹南基地,響應政府扶植國內廠商半導體材料自主及智慧機械政策,以研發科學化、製程智慧化、成員年輕化的特色,持續投入半導體關鍵自主封裝材料開發。
      
晶化科技為台灣首家研發出類ABF增層膜材料的公司,此膜材為先進封裝的關鍵材料,目前主要都被日本廠商壟斷,晶化科技的類ABF增層膜材料已通過國內外封裝大廠的測試及驗證,品質和日本品牌產品不分軒輊,期許台灣半導體封裝材料能自主化,有利完備國內半導體產業聚落,搶占全球供應鏈的核心地位,並吸引外商來台投資,擴大與國內業者合作,強化台灣半導體產業的競爭力。  

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