
據瞭解,代工廠和OSAT正在開發更先進的fan-out,有些還在封裝內部垂直堆疊裸片,一方面填補了低成本fan-out和封裝系統之間的中間地帶,另一方面也填補了2.5D和3D晶片之間的中間地帶。
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晶圓級封裝(WLP)被定義為一種技術,在這種技術中,所有的IC封裝過程步驟都是在零件分離前仍處於晶圓結構中進行的。最初的WLP設計要求所有封裝IO終端連續放置在晶片輪廓內(扇入設計),以產生真正的晶片尺寸封裝。這種架構構成了一個扇入式(fan-in)晶圓級封裝,對一個完整的晶圓進行連續處理。從系統的角度來看,使用這種架構,對WLP複雜性的限制是可以在晶片下放置多少I/O,並且仍然有板設計可以rounting。當傳統封裝(如引線鍵合或倒裝晶片鍵合)不能滿足尺寸持續減小、IC工作頻率增加和成本降低的要求時,WLP可以提供一種解決方案。
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扇出型技術主要可以分作三種類型:晶片先裝/面朝下(chip-first/face-down)、晶片先裝/面朝上(chip-first/face-up)和晶片後裝(chip-last)。這些基本結構已擴展為包括許多變體,隨著各種變化的出現,最終用戶越來越難以理解它們之間的差異,以及它們各自的優缺點。扇出的每個供應商都有自己的一套架構,具有可能不同的材料組和工藝流程,以及用於區分自己的術語。這使得最終用戶不僅要選擇封裝架構,還要能夠為任何定義的架構提供第二個源,這是一個重大的挑戰。這可能會對大量實施產生負面影響。
對於WLCSP來說,在近期內有幾個挑戰。矽技術節點的發展,隨著WLCSP尺寸的增大,可靠性和晶片封裝交互(CPI)面臨著更大的挑戰。這不僅是可靠性性能,而且是WLCSP製造後在後續過程中可能出現的不利影響。這包括運輸和搬運,以及最終組裝到電路板上。人們越來越關注在WLCSP周圍以模具型化合物的形式添加五面或六面保護,以為製造後的工藝提供額外的保護。
隨著技術節點的發展,WLCSP面臨的另一個挑戰是分割( singulation)。WLCSP的最常見的裸片分割方法是機械鋸(mechanical saw )和鐳射刮削(laser skiving)。但是,機械鋸過程會以側壁上的小裂紋形式產生一定程度的機械損壞,這些裂紋會進一步傳播到裸片架構中並導致器件故障。挑戰在於開發一種經濟高效的大批量裸片分割方法,該方法在加工過程中造成的損壞最小。即使採用扇出式封裝,仍然存在因分割而引起的任何損壞,不過隱藏在模具化合物中。模具化合物可以提供支撐,並可以幫助防止進一步的裂紋擴展,但是它仍然存在。因此,分割對於所有形式的WLP結構都很重要。
當前的扇出產品主要以300mm晶圓格式生產,但是隨著我們轉向更大的面板尺寸,每個面板的大量裸片可以限制誰從面板處理固有的低成本架構中受益。在矩形面板和圓形晶圓之間,每個面板的裸片比例很容易達到5:1。如果面板上的所有裸片均一,那麼面板扇出的主要受益者是那些具有足夠高的體積要求的客戶,這些客戶可以完全支援在更大的面板上運行其產品。因此,其中一個挑戰是如何利用更大的面板來使較小的客戶受益。一種方法是對面板進行分區,然後在同一面板上組合不同的裸片。這將要求所有制程在一個面板中容納不同的裸片尺寸,更麻煩的是像成像和電鍍之類的過程,在測試和後端處理中還會產生其他問題。
隨著使用WLP技術處理的產品的複雜性的增加,將會出現更多的挑戰,需要創造性的工程來解決這些問題。
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我們的行業正處於深刻而令人振奮的變革的尖端,數位化轉型、移動性和連線性正在進一步擴展到新市場,而技術正在融合,以將越來越多的應用帶入性能更高、外形更小巧、功耗更低的小型智慧設備。半導體行業正在打破記錄;因此,考慮到全球大趨勢推動的新應用的爆炸性增長,例如環境意識、新興市場的增長和城市化、醫療和福利、連線性、移動性,增強的用戶體驗和人工智慧在過去的60年裡,計算和封裝的趨勢有了顯著的發展,從第一個電晶體和通孔封裝到我們今天使用10nm技術的先進系統——節點製造和各種先進封裝平臺,解決了單晶片和多晶片封裝的問題。
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為什麼晶圓翹曲(warpage)導致後續可靠度問題,近期發生頻率這麼高呢?主要的原因來自於越來越多廠商在開發先進製程的晶片,而先這些進製程晶片是由非常多不同材質、不同功能的晶片層層堆疊起來,例如 MCM 多晶片模組、系統級封裝與 Fan-in/Fan-out 等,這樣的元件使用的材料相當複雜且多元,堆疊在一起時,因各層的材質本身熱膨脹係數不同(CTE)就會產生翹曲(warpage) 。
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專業基板代工廠商: 可按照圖紙連工帶料出成本給客戶,效率高,品質有保障!
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雷切保護液為透明可剝離保護劑,沾附性佳,乾燥後塗膜可剝離性優異,適用於塑膠,金屬,玻璃與陶瓷表面暫時保護,使用後可以室溫水或熱水剝除無殘膠(SCUM),不侵蝕底材維持優異剝離性。
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紫外線吸收劑 UV Absorber
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一些晶片Fan-Out製程上會遇到問題以及如何解決它們。晶圓翹曲會是個嚴重的問題,會影響後續的製程。在某些情況下,玻璃載體的厚度和熱膨脹係數
(CTE)是導致翹曲的原因所在。
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使用: 晶圓翹曲調控膜 Warpage Control Film
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使用:
晶圓背面保護膜
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晶化科技為國內首家研發出類ABF絕緣增層薄膜,應用於IC載板絕緣材料,生產細線距的 Flip Chip 載板所需的絕緣層。
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