Tyvek泰維克面料的服飾建議不要熨燙，因為Tyvek泰維克材料熔點是135度，過高溫度會使材料收縮或破壞。日常整理可以水洗或者用清水濕布擦拭。水洗的話建議用常溫水+溫和洗衣精，可以手洗或用洗衣機輕揉洗後自然晾乾。不可漂白，不能烘乾。
- Oct 12 Mon 2020 13:54
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Tyvek泰維克的材料處理小技巧
Tyvek泰維克面料的服飾建議不要熨燙，因為Tyvek泰維克材料熔點是135度，過高溫度會使材料收縮或破壞。日常整理可以水洗或者用清水濕布擦拭。水洗的話建議用常溫水+溫和洗衣精，可以手洗或用洗衣機輕揉洗後自然晾乾。不可漂白，不能烘乾。
- Oct 12 Mon 2020 13:53
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CUF跟MUF是什麼?
CUF是毛細管底部填充 材料
MUF模製底部填充材料
在MPU、FPGA、應用處理器、高速記憶體和無線設備等先進半導體中，倒裝晶片是應用最廣泛的封裝技術。由於其具有性能優越、形狀因數小和成本合理等特點，自2000年初以來，倒裝晶片封裝技術便開始迅猛發展，而且未來還將應用於更多的設備之中。在倒裝晶片封裝過程中，其原料和加工需要多種膠體。
倒裝晶片連接在帶有互聯凸塊的有機基質上。晶片和基質之間的縫隙必須使用底部填充和加有填充劑的環氧樹脂進行填充。底部填充對倒裝晶片設備的可靠性非常重要，它可以避免倒裝晶片設備因晶片和有機基質之間的熱膨脹係數失配(CTE)而發生故障。使用底部填充材料填充縫隙時有多種材料可選，包括：毛細管底部填充（CUF）、非導電膠（NCP）、非導電膜（NCF）和模塑底部填充（MUF）。CUF是自倒裝晶片技術興起以來最受歡迎的一種材料，但對於不同的技術，其優勢和不足也各有差異。
CUF的工作原理非常簡單：底部填充體點在倒裝晶片一旁後，晶片、凸塊和基質之間的微小縫隙會產生毛細力，在毛細力作用下膠體會擴散到晶片底部。
- Oct 07 Wed 2020 08:39
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晶片代工搶手, 客戶正排隊等待產能
- Oct 07 Wed 2020 08:39
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台積電面臨的風險?!
台積電面臨的最大風險是韓國三星的競爭。儘管台積電在技術上處於領先地位，但三星仍具有嘗試和追趕的意願和資源。他們宣佈了在未來十年內在兩個不同領域投資約 1,160 億美元的計劃，其中之一是晶圓半導體業務。他們為晶片收取的費用較低，因此，如果可以彌補技術差距，那麼台積電可能會遇到問題。它們還可能加劇價格競爭，給台積電的利潤率帶來壓力。
- Oct 07 Wed 2020 08:38
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台灣自主研發製造量產半導體封裝材料專業廠-晶化科技
- Oct 07 Wed 2020 08:38
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晶圓製程中的乾蝕刻與濕蝕刻是什麼?
- Oct 07 Wed 2020 08:37
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如何將晶圓切割成晶片?
經過G/W檢測後的晶圓板接著被送至後期工程。在後期工程中，首先是依IC的尺寸將經原版做縱、橫方向的切割，成為個別分離的晶片。由於晶片也被稱為「die」，故這種過程也有「成 die」之意；另外，一般也常使用「pellet」之詞，故也有撐微pelletize(造粒)的名稱。而從切割分離之意，也可稱為Scribing。
在切割晶圓板之前，首先削去晶圓版的裡面部分(裡面研削)使成更薄的晶圓板，若不經這一研削作業，則將因為厚度太厚而不易切割，且在製成IC之後矽基板的電阻可能太高等問題。
8吋晶圓板通常是將75μm的厚度研削至300μm左右。
完成裡面的研削之後，表面的黏貼一種經紫外線照射之後可以改變特性的特殊膠帶(UV Tape)，並將全體固定於框架上。然後以鑽石鋸，也就是表面黏貼鑽石微粒的圓型薄刃予以切割。鑽石鋸以能夠將投法切成三等分的精度予以切割。各晶片的四邊留有寬約100μm的切割線，由於在晶圓板的製造工程中已將切割線區預露出於矽基板上，故可沿該線加以切割。為使切割作業不致使IC內部造成缺陷，鑽石鋸所施加的壓力以及切割速度皆應受到控制。
切割後，使用特殊的工具拉出UV膠帶，被切割的晶片將被拉出少許的間隙，各個晶片也因此被分離，然後從膠帶的裡側照射紫外線(UV 光)，膠帶由於光化學反應而喪失黏著力，使晶片容易從膠帶剝落並進行以下的工程。最後則以顯微鏡觀察IC的外觀是否有缺陷或割痕等。若發現有缺現存在，便將該IC廢棄，同時也將G/W工程中已註明「不良」之晶片一併去除。經如此篩選後的IC晶片便被輸至下一工程中。
- Oct 07 Wed 2020 08:36
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晶片做Laser Marking的功用?
主要是為了識別和追蹤
完成IC密封工程、切段連接物之後，以高壓水柱的衝擊力去除殘留於引線外部的樹脂層等。
另外，引至ic的外部的接腳，若僅在原來的狀態下予以彎曲時，則在機械的強度上，或在實際安裝於印刷電路板時的焊接上，仍殘留尚待改善的若干問題。由於容易生鏽，因此追加了「外裝處理」的鍍錫處理。這種電鍍作業是在電鍍液中將陰極側接已完成密封作業的接腳，陽極側接焊錫板(鉛Pb+錫Sn)，通電厚進行電鍍。
接著為標記工程，IC的標記具有製品的識別與追蹤的兩個主要目的。
關於識別方面，主要是表示IC製品的ID(Identifization)，用來表示其屬性；而追蹤則意指「能夠反方向追蹤」，能夠瞭解該IC是「何時、何處、如何」製造，也就是藉以追溯與製品相關的經歷等資料。
萬一IC製品發現某種問題時，便可藉追蹤的功能，IC製造廠商與使用者雙方藉由這種資料的回饋，迅速做出對策改善等。打標印方法依封裝的種類而有多種，若是塑模封裝，通常使用雷射標印方式，使用雷射光束刻出深20~30μm的槽溝。使用其他的封裝方式時，在某些情況下也有使用墨水標印的例子。
標印記號中包括「公司名」、「組裝的原產地國名」、「製品名」、「製造批次編號」、「公司內部管理用的其他記號」等。
標印完成後，IC便從引線框分離，輸至各種測試工程。但SOJ或SOP等封裝，測試工程之前則追加了引線加工的工程；另外，DRAM，由於需要區分IC製品的動作速度，因此多在測試之後再進入標印作業。
- Oct 07 Wed 2020 08:36
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