2.5D封裝：
主要概念是將處理器、記憶體或其他晶片，併排（side-by-side）在矽中介層（Silicon Interposer）上，先經由微型凸塊（Micro Bump）連結，讓矽中介版的金屬線，可連接不同晶片的電子訊號；接著再透過矽穿孔（TSV）來連結下方的錫鉛凸塊（Solder Bump），讓晶片與封裝印刷電路板（PCB）之間加更緊密。
3D封裝：
原理是在晶片製作電晶體（CMOS）結構，並且直接使用矽穿孔連結上下不同晶片的電子訊號，以直接將記憶體或其他晶片垂直堆疊在上面。要在晶片內直接製作矽穿孔困難度極高，不過由於高效能運算、AI等應用興起，加上矽穿孔技術越來越成熟，可以看到越來越多CPU、GPU和記憶體開始採用3D封裝技術。
資料來源: SEMI Taiwan
https://www.applichem.com.tw/news-detail-2958266.html
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