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判斷高分子材料產品的燃燒特性，通常用 UL94 規範、限氧指數（limiting oxygenindex, LOI）與圓錐量熱儀熱釋放率試驗 3種方法。

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物質燃燒有三個要素：可燃物質如高分子材料；助燃空氣（氧氣）或其他強氧化劑如氯、硝酸等鹽類；有火源或達到燃點的熱源。
   

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https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1371276
     

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矽穿孔（英語：Through Silicon Via, 常簡寫為TSV，也稱做矽穿孔）是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。

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什麼是薄膜覆晶接合封裝  COF(Chip on film)

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RDL (Redistribution Layer)是將原設計的IC線路接點位置(I/O pad)，透過晶圓級金屬重新佈線制程和凸塊制程來改變其接點位置，使IC能應用於不同的元件模組。重新分佈的金屬線路為金材料，則稱為金線路重分佈(Au RDL)。

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FOWLP技術原為德國Infineon Technologies所開發，FOWLP最大的特點在於，在尺寸相同的晶片下讓重分佈層範圍更廣，晶片腳數更多，單晶片可以整合更多功能，並達到無載板封裝、薄型化以及低成本等優點。然而一開始因良率未達期望，因此並未普及，但各大企業仍不放棄，自行改良優化，應用於手機等領域。如台積電以此技術為基礎，開發扇出型晶圓級封裝，生產蘋果iPhone 7/7Plus手機所需要的A10處理器。

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Wafer Level Packaging 晶圓級封裝
     

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今年以來，在無鹵阻燃工程塑膠和聚碳酸酯PC綜合成本優勢大幅提高，再加上歐盟無鹵化即將強制推廣的背景下，全球市場對磷系阻燃劑的需求正在不斷增長。而供應端一側，未來2-3年內新增產能非常有限，遠不能滿足市場需求，從而使得下游市場對磷系阻燃劑需求愈發強烈，磷系阻燃劑正在進入高光時刻。
   

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日月光還描述了一些晶片Fan-Out製程上會遇到問題以及如何解決它們。晶圓翹曲會是個問題，會影響產量。在某些情況下，玻璃載體的厚度和熱膨脹係數(CTE)是導致翹曲的原因所在。

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根據應用環境跟需求不同，AI晶片所採用主流的封裝技術也會有所差別。例如，矽中介層(Si Interposer)很適合用在資料中心所使用的晶片，但如果是車用AI晶片，覆晶閘球陣列(FC-BGA)搭配導線載板(Laminate Substrate)才會是主流；至於手機應用處理器，則採用類似InFO的扇出晶圓級封裝(FO-WLP)、覆晶搭配嵌入元件的載板(FC in MCeP)封裝技術。台積電CoWoS及InFO先進封裝製程技術，持續擴大整合型扇出晶圓級封裝（InFO WLP）應用，繼去年(2019)完成整合型扇出暨基板（InFO_oS）、整合型扇出暨記憶體及基板（InFO_MS）等先進封裝技術認證及進入量產階段，台積電再針對高效能運算（HPC）晶片推出InFO等級的系統單晶圓（System-on-Wafer，SoW）技術，能將HPC晶片在不需要基板及PCB情況下直接與散熱模組整合在單一封裝中。

    

市場看好5G、車用、IoT及資料中心等新應用趨勢將提升晶片高度整合的需求。然而成本、熱能、電磁干擾和電源雜訊等挑戰皆須從晶片設計面來解決。 https://www.applichem.com.tw/news-detail-2666376.html

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杜邦Tyvek特衛強無紡布它是採用閃蒸法技術，由聚合物經熱熔後加工成連續的長絲再經熱黏合成的高密度聚乙烯，這種獨特的工藝技術能生產出重量輕，卻非常堅韌的材料。特衛強系列產品結合了紙、薄膜和纖維的優點為一身，堅韌而耐用，具有很強的抗撕裂特性。
    

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