濕式蝕刻技術(Wet Etching)
以蝕刻液將晶元表面的氧化層挖出凹槽
線寬『大於0.35微米』以上適用
蝕刻閘極氧化矽
1將氧化層/矽晶圓表面塗佈光阻層
2進行光罩圖形轉移
3將晶圓浸泡化學藥品蝕刻沒有光阻保護的區域
乾式蝕刻技術(Dry Etching)
以電漿離子蝕刻將矽晶圓表面的氧化層挖出凹槽
線寬『小於0.35微米』以下適用
蝕刻閘極氧化矽
1將氧化層/矽晶圓表面塗佈光阻層
2進行光罩圖形轉移
3將晶圓椅電漿離子撞擊蝕刻沒有光阻保護的區域
- Sep 03 Thu 2020 11:40
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半導體蝕刻技術(Etching)
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